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2011年4月6日パテント・リザルトフィードバック数:0製造業/エレクトロニクス

GaNパワー半導体デバイス、特許総合力トップ3はCREE、古河電工、パナソニック

GaNパワー半導体デバイス関連技術、特許総合力トップ3はCREE、古河電工、パナソニック弊社はこのほど、GaNパワー半導体デバイス関連技術について、参入企業に関する調査結果をまとめました。 従来から使われているシリコン(Si)によるパワー半導体デバイスは、耐圧が理論限界値に近付いており、これ以上の改善は難しいとされています。そのため、Siと比べ、絶縁破壊電圧が高いSiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)といったワイドバンドギャップ型半導体が注目されています。これらの材料を用いることで、より電

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