...【GaNパワー半導体デバイス】特許総合力トップ3はCREE、古河電工、パナソニック弊社はこのほど、GaNパワー半導体デバイス関連技術について、参入企業に関する調査結果をまとめました。 従来から使われているシリコン(Si)によるパワー半導体デバイスは、耐圧が理論限界値に近付いており、これ以上の改善は難しいとされています。そのため、Siと比べ、絶縁破壊電圧が高いSiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)といったワイドバンドギャップ型半導体が注目されています。これらの材料を用いることで、より...
...罹患経験者にかかわる際のヒントにしていただけたら幸いです。また、ご自身ががん罹患経験者の方も、ぜひ今後の参考にしていただければと思います。※「キャンサーロスト」とは、「がん罹患によって失ったものや機会」を表す、一般社団法人がんチャレンジャーによる造語です。▼調査結果(PDF)の無料ダウンロードはこちらから https://www.gan-challenger.org/research/ 《調査結果トピックス》約8割(79.1%)の方が「あった」と回答していることからも、多くのがん罹患経験者がキャンサーロスト体験を抱えていることが浮き彫りとなった。喪失...
...する技術などが挙げられます。 前年より大きく順位を上げた8位の大阪大学は、発光ダイオード、半導体レーザなどに活用が見込まれるGaN結晶など、電子部品の材料関連技術や、遺伝子関連技術に強みがあります。大阪大学の単独出願において注目度の高い特許には、「空気中の有害物質や臭い、汚れを分解する光触媒において、長期間にわたり機能を発揮することができる技術」などが挙げられます。 そのほか、上位15位機関の中では、フランス原子力・ 代替エネルギー庁、理化学研究所、名古屋大学、京都大学などが前年度に比べて順位を上げています。(※1)【ラン...
...ートデスクトッププロトコル (RDP) 経由の31%が最大)● Telnetトラフィック発信源のシェアは米国、アルメニア、英国、ブルガリア、フランスの順に大きかった。 (2019年上半期: 米国、ドイツ、英国、オランダの順)● SMBトラフィックの最大の発信源はフィリピンと中国だった。 (2019年上半期: 中国が最大) F-Secureの戦術防衛ユニット (Tactical Defense Unit) のマネージャーであるCalvin Gan (カルビン・ガン) は、今回の調査について以下のように語っています。「スパ...
... Semiconductor Field Effect Transistor)/IPD(Intelligent Power Device)やダイオード、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、パワーモジュール、バイポーラトランジスタ、SiC(シリコンカーバイド)を使ったパワー半導体等を対象とした。<市場に含まれる商品・サービス>MOSFET、IPD、ダイオード、IGBT、パワーモジュール、SiC/GaNパワー半導体 ©2019 Yano Research Institute...
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