GaNパワー半導体デバイス、特許総合力トップ3はCREE、古河電工、パナソニック

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2011年4月6日パテント・リザルトフィードバック数：0

GaNパワー半導体デバイス、特許総合力トップ3はCREE、古河電工、パナソニック

http://www.patentresult.co.jp/news/2011/03/gan.html

【GaNパワー半導体デバイス】特許総合力トップ3はCREE、古河電工、パナソニック弊社はこのほど、GaNパワー半導体デバイス関連技術について、参入企業に関する調査結果をまとめました。従来から使われているシリコン（Si）によるパワー半導体デバイスは、耐圧が理論限界値に近付いており、これ以上の改善は難しいとされています。そのため、Siと比べ、絶縁破壊電圧が高いSiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）といったワイドバンドギャップ型半導体が注目されています。これらの材料を用いることで、より電力損失

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